Transistor module IGBT SKM200GB176D 200 A 1700 V double pont de puissance

Le choix technique des composants de commutation de puissance

Ce bloc autonome regroupe deux transistors IGBT connectés en série pour former un bras de pont complet. Cette architecture simplifie la conception des circuits de puissance en réduisant le nombre de connexions externes et l'inductance parasite du câblage.

Caractéristiques mécaniques et électriques

Les dimensions standardisées du boîtier facilitent le remplacement direct lors des opérations de maintenance préventive ou curative. Les terminaux de puissance supportent des couples de serrage élevés, assurant un contact électrique durable et à faible résistance.

Spécifications détaillées

• Référence d'usine : 200GB176 / SKM200GB176D
• Technologie : IGBT de troisième génération
• Tension d'isolation du boîtier : 4000 V AC
• Applications : Commande de moteurs, chauffage par induction

Grâce à une tension de saturation collecteur-émetteur optimisée, ce module limite la dissipation d'énergie passive, ce qui se traduit par une diminution de la température de fonctionnement au sein de l'armoire de contrôle.